삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB – 사양 2부

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB 그린을 구매한 기념으로 삼성전자 갤럭시 S23 시리즈의 배터리, 스토리지, 보호, 환경 인증, 추가 지원의 각 사양이 의미하는 바를 알고 삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB의 사양을 기록하고자 삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB – 사양 2부를 작성했다.

주의사항
1. 2023년 2월 7일에 삼성닷컴에서 삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB 그린을 1,766,145원에 구매했다.
2. 삼성닷컴 결제내역을 보면 총 주문금액 1,962,400원에 총 할인금액 103,300원이 적용되어 최종 결제금액 1,859,100원이라고 표기되어 있는데, 삼성카드 앱에 접속해보면 최종 결제금액에 92,955원 할인이 추가로 표시되어 있다.
3. 삼성전자 갤럭시 S23 시리즈 사전판매 관련 내용은 삼성닷컴 기준이다.
4. 개인적인 경험과 웹상의 정보를 종합해서 작성했기 때문에 사실과 다른 정보가 있을 수도 있다.

목차

  1. Samsung Galaxy 브랜드
  2. Samsung Galaxy S23 시리즈 비교
  3. Samsung Galaxy S23 시리즈 사전판매 혜택
  4. Samsung Galaxy S23 Ultra 1TB 사양 1부
    4-1. 시스템 온 칩 사양
    4-2. 디스플레이 사양
    4-3. 카메라 사양
  5. Samsung Galaxy S23 Ultra 1TB 사양 2부
    5-1. 배터리 사양
    5-2. 스토리지 사양
    5-3. 무게 및 크기
    5-4. 보호 사양
    5-5. 환경 인증
    5-6. 추가 지원
  6. Samsung Galaxy S23 Ultra 1TB 개봉
  7. Samsung Galaxy S23 Ultra 1TB 디자인
  8. Samsung Galaxy S23 Ultra 1TB 소감
Quick Menu

Samsung Galaxy S23 Ultra 1TB 배터리 사양

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB 배터리

○ 배터리 유형

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB의 배터리 유형은 리튬이온 배터리이고, 일반 용량은 5,000mAh이고, 정격 용량은 4,855mAh이다.

1. 초기 삼성전자 배터리 유형

모델명공개일무게배터리대기
SC-10001987.10Ni-Cd
SH-1001988.09700gNi-Cd
SH-1001989.03450gNi-Cd
SH-2001991.03Ni-Cd
SH-3001992.03279gNi-Cd
SH-4001993.04279gNi-Cd
SH-7001993.10199gNi-Cd26h
SH-7701994.10187gNi-MH32h
SH-8001995.11150gLi-Ion
SH-8701995.11140gLi-Ion
SCH-100D1995.12175gLi-Ion 
SCH-100S1996.10173gLi-Ion 
SCH-200F1996.11159gLi-Ion90h
SCH-250F1997.04159gLi-Ion90h
SCH-10001997.06208gNi-MH
SCH-3001997.07145gLi-Ion100h
SCH-3701997.08145gLi-Ion115h
SCH-3501997.08Li-Ion
SCH-11001997.09151gLi-Ion103h
SPH-20001997.10154gLi-Ion35h
SPH-30001997.12105gLi-Ion20h
SPH-33001997.12110gLi-Ion60h
SCH-4001998.01145gLi-Ion115h
SCH-5501998.01145gLi-Ion115h
SPH-63101998.0477gLi-Po
SGH-T1002002.03Li-Ion
SGH-E7002003.08Li-Ion
SGH-D5002004.10Li-Po
SGH-D9002006.06Li-Ion
SGH-E2502006.12Li-Ion
SGH-J7002008.02Li-Ion
GT-S52302009.05Li-Ion
1997년부터 매년 엄청난 수의 휴대폰을 출시했다

1984년 4월에 한국전기통신공사(현 KT)가 한국이동통신주식회사(현 SK텔레콤)를 설립하고 한국이동통신주식회사가 카폰 서비스를 시작하자 1987년 10월에 삼성전자가 국내 최초의 자동차용 휴대폰인 SC-1000를 공개했고, 1988년 7월에 한국이동통신주식회사가 휴대전화 서비스를 시작하자 1988년 9월에 삼성전자가 국내 최초로 휴대가 가능한 휴대폰인 SH-100을 공개했다. 삼성전자가 1993년까지 출시한 휴대폰에는 모두 납산 배터리(Lead-Acid Battery)보다 제조 비용이 높지만, 에너지 밀도가 높아서 휴대용 장치에 탑재할 수 있을 만큼 부피와 무게를 줄일 수 있고, 충전 및 방전 수명 주기가 더 긴 니켈-카드뮴 배터리(Nickel-Cadmium Battery, NiCd Battery, NiCad Battery)를 탑재했다.

삼성전자는 1993년 4월에 니켈-카드뮴 배터리보다 충전 및 방전 수명 주기가 상대적으로 짧고 고온에서 배터리 수명이 감소하지만, 에너지 밀도가 높아서 더 작은 부피와 무게로 제조할 수 있고, 카드뮴과 같은 매우 유독한 중금속이 포함되어 있지 않고, 배터리를 완전히 충전한 후 완전히 방전하지 않고 부분적으로 방전 및 충전을 반복할 때 배터리의 충전 한계가 완전 충전 수준에서 부분적인 방전 수준으로 낮아지는 방전 용량 기억 효과(Memory Effect)가 적은 니켈-금속 수소화물 배터리(Nickel Metal Hydride Battery, NiMH Battery)를 개발했고, 1994년 10월에 출시한 애니콜 브랜드의 첫 번째 휴대폰인 SH-770에 니켈-금속 수소화물 배터리를 탑재했다.

1994년 4월에 삼성전자가 삼성전관에 전지 사업을 이관한 후 삼성전관이 충격, 과충전, 극한의 온도에서 폭발 등 안전 위험이 있고, 고온에서 배터리 수명이 감소하고, 배터리를 사용하지 않아도 자연적으로 수명이 감소하지만, 니켈-금속 수소화물 배터리보다 에너지 밀도가 높아서 더 작은 부피와 무게로 제조할 수 있고, 자체 방전율이 낮아서 더 오랜 시간 동안 충전 상태를 유지할 수 있고, 방전 용량 기억 효과가 없고, 더 높은 출력을 제공할 수 있는 리튬이온 배터리(Lithium-Ion Battery)를 개발하기 시작했고, 1995년 11월에 출시한 SH 시리즈의 마지막 휴대폰인 SH-800과 SH-870에 리튬이온 배터리를 탑재했다.

1996년부터 삼성중앙화학연구소가 지난 1994년부터 리튬 폴리머 배터리를 개발해온 한국전기연구소와 함께 리튬이온 배터리보다 에너지 밀도가 낮아서 크기 및 무게 대비 배터리 수명이 짧고 일반적인 충전 및 방전 수명 주기가 짧고, 리튬이온 배터리처럼 고온에서 배터리 수명이 감소하고 배터리를 사용하지 않아도 자연적으로 수명이 감소하지만, 맞춤형 형태로 제조할 수 있어서 불필요한 무게를 최소화하고 휴대폰 형태에 맞춰 디자인할 수 있고, 리튬이온 배터리보다 전해질 누출 위험이 낮은 리튬 폴리머 배터리(Lithium Polymer Battery, LiPo Battery, Li-Po Battery, LIP Battery)를 개발하기 시작했고, 1998년 11월에 삼성전관이 리튬 폴리머 배터리를 개발했다. (1998년 4월에 출시한 SPH-6130에는 해외 업체가 제조한 리튬 폴리머 배터리를 탑재했다.)

하지만 리튬 폴리머 배터리는 리튬이온 배터리보다 기술 성숙도가 낮고 제조 비용이 높고, 에너지 밀도가 낮아서 같은 크기에서 배터리 수명 손실이 크고, 충전 및 방전 수명 주기가 상대적으로 짧다 보니 리튬이온 배터리를 대체하지 못했다.

2. 삼성전자 갤럭시 S 시리즈 배터리 유형

모델명출시일무게배터리용량
S2010.06121gLi-Ion1,500
S II (3G)2011.04121gLi-Ion1,650
S III (3G)2012.06132gLi-Ion2,100
S4 (3G)2013.04133gLi-Ion2,600
S52014.04145gLi-Ion2,800
S62015.04138gLi-Ion2,550
S6 edge+2015.08153gLi-Ion3,000
S7 edge2016.03157gLi-Ion3,600
S8+2017.04173gLi-Ion3,500
S9+2018.03189gLi-Ion3,500
S10 5G2019.04198gLi-Ion4,500
S20 Ultra 5G2020.03220gLi-Ion5,000
S21 Ultra 5G2021.01227gLi-Ion5,000
S22 Ultra2022.02228gLi-Ion5,000
S23 Ultra2023.02233gLi-Ion5,000
삼성전자 갤럭시 S 시리즈는 모두 리튬이온 배터리를 사용했다.

3. 삼성전자 갤럭시 S23 울트라 배터리 유형

삼성전자 갤럭시 S23 울트라에 내장된 배터리는 삼성 SDI가 베트남에서 제조한 리튬이온 배터리로 모델명은 EB-BS918ABY이고, 일반 용량은 5,000mAh이고, 정격 용량은 4,855mAh이다.

일반 용량(Typical Capacity)은 사용자가 일반적인 환경에서 사용할 수 있는 배터리 용량으로 일반적으로 사용자가 인식하기 쉽고 제조사에서 제조한 배터리 간에 사용 시간을 비교하기 쉽도록 정격 용량보다 수치가 높고 정형화되어 있다. 정격 용량(Rated Capacity)은 제조사가 통제된 환경에서 표준화된 테스트 방법으로 측정한 배터리의 실제 용량이다.

삼성전자 갤럭시 S23 울트라의 배터리 일반 용량은 IEC 61960 표준에 따라 테스트한 배터리 샘플 간의 배터리 용량 편차를 고려한 추정 평균값이고, 배터리 정격 용량은 삼성전자가 통제된 환경에서 표준화된 테스트 방법으로 측정한 배터리의 실제 용량이다.

○ 배터리 사용 시간

모델명LTEWi-Fi통화
Galaxy S7.5h
Galaxy S II (3G)9h
Galaxy S III (3G)7h8h10h
Galaxy S4 (3G)8h10h15h
Galaxy S5 (3G)11h13h20h
Galaxy S611h12h17h
Galaxy S6 edge+11h12h20h
Galaxy S7 edge15h16h27h
Galaxy S8+13h16h25h
Galaxy S9+15h16h23h
Galaxy S10 5G16h17h29h
Galaxy S20 Ultra 5G17h18h37h
Galaxy S21 Ultra 5G18h18h41h
Galaxy S22 Ultra20h21h40h
Galaxy S23 Ultra25h25h49h

삼성전자 갤럭시 S23 울트라의 LTE 인터넷 사용 시간은 최대 25시간이고, Wi-Fi 인터넷 사용 시간은 최대 25시간이고, 연속 통화 시간은 최대 49시간이다. 2020년 3월에 출시한 삼성전자 갤럭시 S20 울트라 5G부터 내장 배터리의 용량이 5,000mAh로 같으므로 그 이후 세대부터는 효율적인 배터리 관리를 통해 사용 시간을 늘린 것으로 추정된다.

Samsung Galaxy S23 Ultra 1TB 스토리지 사양

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB 낸드플래시

○ 낸드 플래시 메모리

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB에 탑재한 eUFS에 메모리 셀을 176단으로 적층한 3D V-NAND 7세대 낸드 플래시 메모리를 내장했다.

도시바의 마스오카 후지오(Fujio Masuoka, 舛岡 富士雄)가 1980년에 EEPROM을 기반으로 전원을 꺼도 데이터가 반영구적으로 저장되는 비휘발성 메모리인 플래시 메모리를 개발했고 1987년에 고밀도 회로를 구현할 수 있는 낸드 플래시 메모리를 개발했다. 초기 낸드 플래시 메모리는 더 많은 데이터를 저장하기 위해 레이어의 구조를 더욱 세밀하게 개발하는 방향으로 발전하다가 물리적인 한계에 부닥친 후부터는 레이어를 세로로 쌓는 방식으로 발전했다.

1. 삼성전자 낸드 플래시 메모리 초기 역사

연도연혁
1992.12삼성전자가 일본 도시바와 2MB(16Mb) NAND 플래시 메모리 등을 개발하는데 상호 협력하기 위한 기술협력 계약을 체결했다.
1993.07600nm 공정으로 세계에서 두 번째로 1MB(8Mb) NAND 플래시 메모리를 개발했다.
1993.10600nm 공정으로 세계에서 두 번째로 2MB(16Mb) NAND 플래시 메모리를 개발했다.
1994.11600nm 공정으로 제조하고 5V 전압으로 동작하는 2MB(16Mb) NAND 플래시 메모리를 양산하는 기술을 개발했다.
1995.023.3V 전압으로 동작하는 4MB(32Mb) NAND 플래시 메모리를 개발했다.
1995.04삼성전자가 일본 도시바와 8MB(64Mb) NAND 플래시 메모리를 공동 개발하기로 합의하고 삼성전자 연구진을 일본 도시바 연구소로 파견했다.
1996.02삼성전자가 IEEE 국제 반도체 회로 컨퍼런스에서 16MB(128Mb) 급 NAND 플래시 메모리를 공개했다.
1997.03국내 최초로 마이크로프로세서와 낸드 플래시 메모리를 내장한 디지털 PDA(휴대형정보단말기)를 개발했다.
1998.03SRAM과 낸드 플래시 메모리를 하나의 칩으로 통합하고 배터리 무게를 줄여서 세계에서 무게가 가장 가벼운 휴대폰인 SPH-4100을 출시했다.
1998.03270nm 공정으로 세계 최초로 16MB(128Mb) 낸드 플래시 메모리를 양산했다.
1998.12낸드 플래시 메모리와 비메모리를 통합한 MFL(Merged Flash Memory With Logic) 복합칩을 개발했다.
1999.08오디오 파일을 저장할 수 있는 16MB 낸드 플래시 메모리를 내장해서 세계 최초로 휴대폰과 MP3의 기능을 하나로 합친 휴대폰인 SPH-M2100을 출시했다.
1999.10150nm 공정으로 128MB(1Gb) 낸드 플래시 메모리를 개발했다.
2000.0532MB(256Mb) 낸드 플래시 메모리를 양산했다.
2000.12애플리케이션을 설치할 수 있는 8MB 낸드 플래시 메모리를 내장해서 휴대전화와 PDA를 하나로 합친 휴대폰인 PDA폰을 출시했다.
2001.061.8V 전압으로 동작하는 저전력 16MB(128Mb) 낸드 플래시 메모리를 개발했다.
2001.07150nm 공정으로 64MB(512Mb) 낸드 플래시 메모리를 양산했다.
2001.08120nm 공정으로 128MB(1Gb) 낸드 플래시 메모리 단품과 128MB(1Gb) 낸드 플래시 메모리 두 개를 적층한 256MB(2Gb) 낸드 플래시 메모리를 양산했다.
2001.11150nm 공정으로 제조하고 1.8V 전압으로 동작하는 저전력 32MB(256Mb) 낸드 플래시 메모리를 개발했다.
2002.08120nm 공정으로 128MB(1Gb) 낸드 플래시 메모리를 양산했다.
2002.0990nm 공정으로 256MB(2Gb) 낸드 플래시 메모리를 개발했다.
2003.03ARM 모바일 프로세서, 32MB(256Mb) 낸드 플래시 메모리, 32MB(256Mb) SDRAM을 하나의 패키지로 적층한 시스템 패키지(System in Package, SiP)를 세계 최초로 개발했다.
2003.0970nm 공정으로 세계 최초로 512MB(4Gb) 낸드 플래시 메모리를 개발했다.
2003.12256MB(2Gb) 낸드 플래시 메모리 칩을 4단으로 적층한 1GB(8Gb) 낸드 플래시 메모리를 개발했다.
2004.03휴대전화에 적용하기 위해 낸드 플래시 메모리와 컨트롤러를 통합해서 NOR 플래시 메모리 없이 부팅이 가능한 원낸드(OneNAND) 플래시 메모리를 개발했다.
2004.04세계 최초로 낸드 플래시 메모리의 동작 속도를 기존 16.4MB/s에서 24.1MB/s로 높인 2GB 낸드 플래시 메모리를 개발하고, 2GB 낸드 플래시 메모리 두 개를 적층한 4GB 낸드 플래시 메모리와 2GB 낸드 플래시 메모리 네 개를 적층한 8GB 낸드 플래시 메모리를 양산했다.
2004.06필요한 데이터만 골라서 선택적으로 구동시키는 리눅스의 디맨드 페이징(Demand Paging) 기능과 연동해서 낸드 플래시 메모리의 읽기 속도와 쓰기 속도를 높이는 파일 관리 소프트웨어인 RFS(Robust File System)를 개발했다. RFS를 사용하면 낸드 플래시 메모리의 읽기 속도가 NOR 낸드 플래시 메모리에 프로그램 코드를 저장할 때 필요한 3MB/s를 초과하므로 PC, 서버, 모바일 기기에서 NAND 플래시 메모리만으로 안정적인 제품 설계가 가능하다고 했다.
2004.09세계 최초로 60nm 공정으로 1GB(8Gb) 낸드 플래시 메모리를 개발했다.
2005.01세계 최초로 메모리 칩 8개를 적층 해서 하나의 칩으로 통합하는 MCP 기술을 개발하고, 128MB(1Gb) 낸드 플래시 메모리 2개, 32MB(256Gb) NOR 플래시 메모리 2개, 32MB(256Gb) 모바일 DRAM 2개, 16MB(128Mb) UtRAM, 64MB UtRAM을 적층한 칩을 공개했다.
2005.0190nm 공정으로 512MB(4Gb) MLC 낸드 플래시를 양산했다. 삼성전자에서 양산한 첫 번째 MLC 낸드 플래시 메모리이다.
2005.05낸드 플래시 메모리를 사용한 SSD(Solid State Disk)를 개발했다.
2005.09세계 최초로 50nm 공정으로 2GB(16Gb) 낸드 플래시 메모리를 개발했다.
2006.05세계 최초로 HDD를 탑재하지 않고 SSD만 탑재한 노트북을 출시했다.

2. 삼성전자 낸드 플래시 메모리 발전

연도연혁
2006.09비휘발성 반도체 제조에 사용하는 플로팅 게이트(Floating Gate) 기술을 대체하는 차지 트랩 플래시(Charge Trap Flash, CTF) 기술을 개발했고, 차지 트랩 플래시(CTF) 기술을 사용해서 세계 최초로 40nm 공정으로 4GB(32Gb) 낸드 플래시 메모리를 개발했다.
2007.0350nm 공정으로 제조한 2GB(16Gb) 낸드 플래시 메모리 네 개를 통합한 8GB 모비낸드를 양산했다.
2007.05삼성전자가 애플 아이폰에 4GB 와 8GB MLC 낸드 플래시 메모리를 공급한다고 했다.
2007.10세계 최초로 30nm 공정으로 8GB(64Gb) 낸드 플래시 메모리를 개발했다.
2009.0530nm급 공정으로 4GB(32Gb) 낸드 플래시 메모리 8개를 8단으로 적층하고 컨트롤러를 추가한 32GB 모비낸드를 양산했다.
2009.11세계 최초로 0.6mm 두께로 낸드 플래시 메모리를 8단으로 적층하는 기술을 개발했다.
2009.1132nm 공정으로 4GB(32Gb) TLC 낸드 플래시를 양산했다. 삼성전자에서 양산한 첫 번째 TLC 낸드 플래시 메모리이다.
2010.0130nm급 공정으로 4GB(32Gb) 낸드 플래시 메모리 8개를 16단으로 적층하고 컨트롤러를 추가한 62GB 모비낸드를 양산했다.
2010.04세계 최초로 27nm 공정으로 4GB(32Gb) MLC 낸드 플래시 메모리를 양산했다.
2010.10삼성전자, 일본 도시바, 미국 인텔이 10nm 기술을 공동으로 개발한다고 했다.
2012.1110nm급 64GB 임베이드 멀티 미디어 카드(eMMC)를 양산했다.
2013.083차원 차지 트랩 플래시(3D Charge Trap Flash, 3D CTF) 기술과 3차원 수직 적층(3D Vertical NAND, 3D V-NAND) 공정 기술을 개발했고, 두 가지 기술을 사용해서 메모리 셀를 24단으로 적층한 16GB(128Gb) MLC 3D V-NAND 1세대를 양산했다.
2014.05메모리 셀을 32단으로 적층한 16GB(128Gb) MLC 3D V-NAND 2세대를 양산했다.
2014.08메모리 셀을 32단으로 적층한 16GB(128Gb) TLC 3D V-NAND 2세대를 개발했다.
2014.10메모리 셀을 32단으로 적층한 16GB(128Gb) TLC 3D V-NAND 2세대를 양산했다.
2015.08메모리 셀을 48단으로 적층한 32GB(256Gb) TLC 3D V-NAND 3세대를 양산했다.
2016.08각 셀의 층마다 균일한 홀 패턴을 형성하고 전체 단의 하중을 고르게 분산하는 초고집적 셀 구조·공정 기술을 사용해서 메모리 셀을 64단으로 적층한 3D V-NAND 4세대를 공개했다.
2016.12메모리 셀을 64단으로 적층한 32GB(256Gb) TLC 3D V-NAND 4세대를 양산했다.
2017.11메모리 셀을 64단으로 적층한 128GB(1Tb) QLC 3D V-NAND 4세대를 개발할 수 있는 기술을 공개했다.
2018.02메모리 셀을 64단으로 적층한 128GB(1Tb) QLC 3D V-NAND 4세대를 공개했다.
2018.07데이터 입출력 속도를 이전 세대보다 1.4배 높이고 동작 전압을 33% 낮추는 초고속·저전압 동작 회로 설계 기술, 데이터 쓰기 시간을 이전 세대보다 30% 높이고 읽기 응답 대기 시간을 낮추는 고속 쓰기·최단 읽기응답 대기시간 회로 설계 기술, 셀 영역의 높이가 낮아짐에 따라 증가하는 간섭 현상을 줄여서 오류를 방지하고 동작 인식 범위를 넓혀 데이터를 더 정확하고 빠르게 처리하는 텅스텐 원자층박막 공정 기술을 사용해서 메모리 셀을 92단으로 적층한 32GB(256Gb) TLC 3D V-NAND 5세대를 양산했다.
2018.08메모리 셀을 64단으로 적층한 128GB(1Tb) QLC 3D V-NAND 4세대 낸드 플래시 메모리를 내장한 소비자용 1TB QLC SATA SSD를 양산했다. 삼성전자에서 양산한 첫 번째 QLC 낸드 플래시 메모리이다.
2019.08전기가 통하는 몰드 층을 136단으로 쌓은 후 미세한 원통형 구멍을 한 번에 뚫어 셀 구조물을 연결하는 채널 홀 에칭 기술, 이전 세대보다 성능을 10% 높이면서도 동작 전압을 15% 줄이는 초고속 설계 기술을 사용해서 메모리 셀을 128단으로 적층한 32GB(256Gb) TLC 3D V-NAND 6세대 낸드 플래시 메모리를 내장한 기업용 250GB SATA TLC SSD를 양산했다.
2022.05메모리 셀을 176단으로 적층한 3D V-NAND 7세대 낸드 플래시 메모리, 범용 플래시 스토리지(UFS) 4.0 인터페이스, 컨트롤러를 통합한 임베디드 범용 플래시 스토리지(eUFS)를 개발했다.
2022.11메모리 셀을 236단으로 적층한 128GB(1Tb) TLC 3D V-NAND 8세대를 양산했다.

○ 데이터 저장방식

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB에 탑재한 eUFS에 내장된 낸드 플래시 메모리의 데이터 저장 방식은 TLC이다.

물리적으로 하나의 셀에 주입하는 전자의 개수를 구분하는 ‘경우의 수’에 따라 데이터 저장 방식을 결정하는데 SLC(Single Level Cell)은 ‘전자가 없는 1’과 ‘전자가 200개 ~ 1,000개 정도 있는 0’의 총 두 가지 상태를 가지는 1비트(2의 1승)로 동작하고, MLC(Muti Level Cell)는 ‘전자가 없는 11’과 ‘전자가 200개 ~ 400개 정도 있는 10’, ‘전자가 500개 ~ 700개 정도 있는 01’, ‘전자가 800개 ~ 1,000개 정도 있는 00’의 총 네 가지 상태를 가지는 2비트(2의 2승)로 동작하고, TLC(Triple Level Cell)는 ‘전자가 없는 111’과 ‘전자가 있는 110, 101, 100, 011, 010, 001, 000’의 총 아홉 가지 상태를 가지는 3비트(2의 3승)로 동작하고, QLC(Quadruple Level Cell)는 ‘전자가 없는 1111’과 ‘전자가 있는 1110, 1101, 1100, 1011, 1010, 1001, 1000, 0111, 0110, 0101, 0100, 0011, 0010, 0001, 0000’의 총 열여섯 가지 상태를 가지는 4비트(2의 4승)로 동작하고, PLC(Penta Level Cell)는 ‘전자가 없는 11111’과 ‘전자가 있는 11110부터 00000’까지 총 스물다섯 가지 상태를 가지는 5비트(2의 5승)로 동작한다.

SLC, MLC, TLC, QLC, PLC 순으로 갈수록 물리 구조와 작동 원리가 복잡하다 보니 데이터를 한 번 확인할 때 데이터의 위치를 판별하는 동작 횟수가 증가해서 속도가 느리고, 오류가 발생할 가능성이 높고, 오류를 검출하고 수정하기 위한 코드가 길어져서 지연 시간이 추가되고, 한 가지 상태를 확인하는 동안 다른 요청의 대기 시간도 길어져서 전반적으로 작동 속도가 크게 저하된다. 일반적으로 하나의 셀을 읽는 속도는 SLC는 25마이크로초이고, MLC는 50마이크로초이고, TLC는 75마이크로초이고, QLC는 100마이크로초 이상이다.

그리고 셀에 데이터를 쓰고 삭제할 때마다 산화막에 전자가 축적되고 일정량 이상의 전자가 축적되면 셀에 인가전압을 높여도 전자가 더 이동하지 못하게 되어 셀 수명이 다하는데 SLC, MLC, TLC, QLC, PLC 순으로 갈수록 인가전압에 차이를 둬서 전자가 주입되는 개수를 조절하고 셀 상태 수를 늘리기 때문에 산화막에 전자가 축적되어도 인가전압을 높일 여유가 없어서 셀 수명이 짧다. 그리고 셀에 저장된 데이터의 보존 기간은 제조사의 기술력에 따라 차이가 있지만, 일반적으로 SLC는 약 5 ~ 10년이고, MLC와 TLC는 약 1 ~ 2년이고, QLC는 훨씬 더 짧은데 컨트롤러의 작동 방식과 소프트웨어 등 보완 조치로 데이터의 보존 기간을 늘린다.

참고로 SSD는 사용 온도가 높아질수록 셀 수명이 감소하고 데이터 보존 기간도 짧아지므로 제조사에서 명시한 작동 온도를 넘지 않아야 하고, SSD를 사용하지 않고 비작동 상태로 1년 이상 방치하면 셀에 주입된 전자가 유실되어 데이터가 소실될 수 있어서 SSD에 데이터가 저장되어 있다면 SSD를 사용하지 않더라도 주기적으로 가동해야 한다. 스마트폰을 사용할 때는 사실상 스마트폰을 교체하기 전까지 수년에 걸쳐서 항상 켜져 있는 상태가 유지되므로 데이터가 소실될 염려는 없으나 새로운 스마트폰으로 교체 후 기존에 사용하던 스마트폰을 방치하면 보관 기간에 따라 데이터가 소실될 수 있다.

○ 스토리지 규격

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB에 탑재한 스토리지 규격은 eUFS 4.0이다.

2007년 9월에 삼성전자, 마이크론(Micron), 노키아(Nokia), 소니 에릭슨(Sony Ericsson), 스팬션(Spansion), ST마이크로(STMicroelectro), 텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments)가 국제반도체표준협의기구(Joint Electron Device Engineering Council, JEDEC)가 다양한 낸드 플래시 메모리 스토리지 규격을 통일하기 위해 추진한 범용 플래시 스토리지(Universal Flash Storage, UFC) 표준 개발에 참여했고, 2010년 12월에 UFS 표준 개발 참여 기업 중에서 애질런트(Agilent), 알리온(Allion), 아라산(Arasan), 케이던스(Cadence), 마벨(Marvell), MCCI, 마이크론(Micron), 피손(Phison), 삼성전자, 실리콘 모션(Silicon Motion), SK 하이닉스(SK Hynix)가 UFS 로고 인증 관리, UFS 기술 및 인프라 홍보, UFS 사양 개발을 위한 소통을 위해 범용 플래시 스토리지 협회(Universal Flash Storage Association, UFSA)를 설립했다.

2011년 2월에 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 eMMC 모바일 기능을 도입해서 기존 성능을 높이고, 최고 성능, 전력 효율적인 데이터 전송, 낮은 유효 전력을 달성하기 위해 미피 얼라이언스(MIPI Alliance)가 개발한 직접 회로를 상호 연결하기 위한 고속 인터페이스 기술인 유니프로(UniPro)와 유니프로의 기본 물리 인터페이스로 설계된 고속 데이터 통신 물리 계층 프로토콜 표준인 M-PHY를 사용해서 임베디드 및 이동식 카드 형식에 같은 인터페이스 형식을 제공하고, 읽기 및 쓰기 속도를 높이기 위한 명령 대기열 기능을 지원하고, 300MB/s의 초기 데이터 처리량을 지원하는 UFS 1.0 표준을 발표했다.

2011년 11월에 삼성전자가 UFS 1.1 표준을 개발했고, 2012년 6월에 도시바가 UFS 1.1 표준을 개발했고, 2012년 6월에 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 UFS 표준을 1.0에서 1.1로 업데이트했다고 발표했다. 그리고 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 2013년 4월에 UFS 장치의 동작을 측정하고 이를 UFS 사양의 요구 사항과 비교하기 위한 테스트 표준을 발표했고, 2013년 9월에 이전 세대보다 성능을 높이고 보안 기능을 확장하고, 절전 기능을 추가한 UFS 2.0 표준을 발표했다.

2015년 2월에 삼성전자가 세계 최초로 UFS 2.0 표준 인터페이스를 적용한 임베디드 범용 플래시 스토리지(Embedded Universal Flash Storage, eUFS)를 32GB, 64GB, 128GB 용량으로 양산했다.

1. 삼성전자 임베디드 및 이동식 카드 스토리지 규격 역사

연도연혁
1996.06삼성전자와 일본 도시바가 기술 제휴를 통해 2MB 낸드 플래시 메모리를 내장한 세계 최소형 메모리 카드를 개발했다.
1997.128MB(64Mb) 낸드 플래시 메모리를 내장한 스마티 미디어를 양산했다.
1997.12삼성전자와 일본 도시바가 스마트 미디어로 메모리 카드 시장을 선점하기 위해 마케팅 제휴를 체결했다.
2001.04삼성전자가 미국 렉사 미디어와 전략 제휴를 체결해서 낸드 플래시 메모리의 컨트롤러에 대한 지적재산권을 확보했고, 1994년에 샌디스크가 공개한 콤팩트 플래시 카드(Compact Flash Card, CF Card), 1997년에 샌디스크와 지멘스가 공개한 멀티 미디어 카드(Multi Media Card, MMC), 1998년에 소니가 공개한 메모리 스틱(Memory Stick)를 생산할 수 있게 되었다.
2001.061.8V 전압으로 동작하는 저전력 16MB(128Mb) 낸드 플래시 메모리를 개발했다.
2001.07150nm 공정으로 제조한 64MB(512Mb) 낸드 플래시 메모리를 내장한 64MB 콤팩트 플래시 카드와 150nm 공정으로 제조한 64MB(512Mb) 낸드 플래시 메모리 두 개를 통합한 128MB 콤팩트 플래시 카드를 양산했다.
2001.08삼성전자와 소니가 차세대 낸드 플래시 메모리 카드로 소니의 메모리 스틱을 체택하기로 양해 각서를 체결하고 메모리 스틱을 사용할 수 있는 어댑터와 메모리 스틱을 내장한 디지털 기기를 생산한다고 했다.
2002.10삼성전자와 올림푸스가 2001년에 일본 올림푸스, 도시바, 후지필름이 공동으로 개발한 xD-픽처카드(Extreme Digital Picture Card, xD-Picture Card)를 OEM 방식으로 생산 및 공급한다고 했다.
2003.04멀티 미디어 카드(Multi Media Card, MMC)와 축소 사이즈 멀티 미디어 카드(Reduced Size Multi Media Card, RS-MMC)를 16MB, 32MB, 64MB, 128MB 용량으로 양산했다.
2003.08삼성전자가 독자 브랜드로 메모리 스틱 사업을 추진한다고 했다.
2004.03휴대전화에 적용하기 위해 낸드 플래시 메모리와 컨트롤러를 통합해서 NOR 플래시 메모리 없이 부팅이 가능한 원낸드(OneNAND) 플래시 메모리를 개발했다.
2004.12축소 사이즈 멀티 미디어 카드(RS-MMC)보다 크기가 약 1/3 더 작은 멀티 미디어 카드 마이크로(Multi Media Card Micro, MMC Micro, microSD)를 32MB, 64MB, 128MB 용량으로 개발했다.
2005.01세계 최초로 메모리 칩 8개를 적층 해서 하나의 칩으로 통합하는 MCP 기술을 개발하고, 128MB(1Gb) 낸드 플래시 메모리 2개, 32MB(256Gb) NOR 플래시 메모리 2개, 32MB(256Gb) 모바일 DRAM 2개, 16MB(128Mb) UtRAM, 64MB UtRAM을 적층한 칩을 공개했다.
2006.09낸드 플래시 메모리와 컨트롤러를 하나의 패키지로 통합해서 별도의 소프트웨어 없이 대용량 낸드 플래시 메모리를 모바일 내장형 메모리로 사용할 수 있고 멀티미디어 카드(Multi Media Card, MMC) 인터페이스를 사용하는 모비낸드(moviNAND) 개발하고, 60nm 공정으로 제조한 1GB(8Gb) 낸드 플래시 메모리를 탑재한 1GB 모비낸드와 60nm 공정으로 제조한 1GB(8Gb) 낸드 플래시 메모리 두 개를 탑재한 2GB 모비낸드를 양산했다.
2006.12국제반도체표준화기구(JEDEC)와 멀티미디어 카드 협회(Multi Media Card Association, MMCA)가 삼성전자의 모비낸드를 임베이드 멀티 미디어 카드(Embedded Multi Media Card, eMMC) 표준으로 등록했다.

2. 삼성전자 범용 플래시 스토리지 역사

연도연혁
2007.09다양한 낸드 플래시 메모리 카드 규격을 통일하기 위해 삼성전자, 미국 마이크론, 일본 노키아, 일본 소니에릭슨, 미국 스팬션, 스위스 ST마이크로, 미국 텍사스 인스트루먼트가 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 추진하는 범용 플래시 스토리지(Universal Flash Storage, UFC) 표준 개발에 협력한다고 했다.
2011.11범용 플래시 스토리지(UFS) 1.1 인터페이스를 개발했다.
2015.02낸드 플래시 메모리, 컨트롤러, 범용 플래시 스토리지(UFS) 2.0 인터페이스를 통합한 스마트폰용 128GB 임베디드 범용 플래시 스토리지(eUFS)를 양산했다.
2016.02낸드 플래시 메모리, 컨트롤러, 범용 플래시 스토리지(UFS) 2.0 인터페이스를 통합한 스마트폰용 256GB 임베디드 범용 플래시 스토리지(eUFS)를 양산했다.
2016.07낸드 플래시 메모리, 컨트롤러, 범용 플래시 스토리지(UFS) 2.0 인터페이스를 통합한 256GB 범용 플래시 스토리지 카드(UFS Card)를 양산했다.
2017.12메모리 셀을 64단으로 적층한 64GB(512Gb) TLC 3D V-NAND 4세대 낸드 플래시 메모리를 8단으로 적층하고 컨트롤러와 범용 플래시 스토리지(UFS) 2.1 인터페이스를 통합한 512GB 임베디드 범용 플래시 스토리지(eUFS)를 양산했다.
2019.01메모리 셀을 92단으로 적층한 64GB(512Gb) TLC 3D V-NAND 5세대 낸드 플래시 메모리를 16단으로 적층하고 컨트롤러와 범용 플래시 스토리지(UFS) 2.1 인터페이스를 통합한 1TB 임베디드 범용 플래시 스토리지(eUFS)를 양산했다.
2019.02메모리 셀을 92단으로 적층한 64GB(512Gb) TLC 3D V-NAND 5세대 낸드 플래시 메모리를 8단으로 적층하고 컨트롤러와 범용 플래시 스토리지(UFS) 3.0 인터페이스를 통합한 512GB 임베디드 범용 플래시 스토리지(eUFS)를 양산했다.
2020.03낸드 플래시 메모리, 컨트롤러, 범용 플래시 스토리지(UFS) 3.1 인터페이스를 통합한 512GB 임베디드 범용 플래시 스토리지(eUFS)를 양산했다.
2021.06범용 플래시 스토리지(UFS) 3.1 인터페이스를 사용하는 낸드 플래시 메모리와 LPDDR5 램을 통합한 uMCP를 양산했다.
2022.05메모리 셀을 176단으로 적층한 3D V-NAND 7세대 낸드 플래시 메모리, 컨트롤러, 범용 플래시 스토리지(UFS) 4.0 인터페이스를 통합한 임베디드 범용 플래시 스토리지(eUFS)를 개발했다.

2022년 8월에 JEDEC 솔리드 스테이트 기술 협회(Solid State Technology Association)가 미피 얼라이언스(MIPI Alliance)가 개발한 유니프로 2.0과 M-PHY 5.0을 활용해서 UFS 인터페이스 대역폭을  두 배로 늘리고 읽기 및 쓰기 트래픽에 대해 최대 4.2GB/s를 지원하고, 다중 순환 대기열을 지원하고, 데이터 보호 기능을 확장한 UFS 4.0 표준을 발표했다.

삼성전자 UFS 4.0은 삼성전자가 설계하고 제조한 컨트롤러와 메모리 셀을 176단으로 적층한 3D V-NAND 7세대 낸드 플래시 메모리를 적용해서 4,200Mbps의 읽기 속도와 2,800Mbps의 쓰기 속도를 지원하고, 이전 세대보다 전력 효율이 약 46% 높고, 이전 세대보다 데이터 보호 성능이 약 1.8배 높고, 최대 1TB의 용량을 지원한다.

○ 용량

삼성전자 갤럭시 S23 울트라에서 지원하는 용량은 256GB, 512GB, 1TB이다.

삼성전자 갤럭시 S23 울트라에 탑재한 스토리지 규격은 모두 eUFS 4.0이다.

시리즈스토리지 규격용량
S23 UltraeUFS 4.01TB, 512GB, 256GB
S22 UltraeUFS 3.11TB, 512GB, 256GB
S21 Ultra 5GeUFS 3.1512GB, 256GB
S20 Ultra 5GeUFS 3.0512GB, 256GB
S10 5GeUFS 2.1512GB, 256GB
S9+eUFS 2.1256GB, 64GB
S8+eUFS 2.1128GB, 64GB
S7 EdgeeUFS 2.0128GB, 64GB, 32GB
S6 Edge+eUFS 2.032GB
S5eMMC 5.032GB
S4 (3G)eMMC 4.532GB, 16GB
S III (3G)eMMC 4.532GB, 16GB
S II (3G)eMMC 4.532GB, 16GB, 8GB
SeMMC 4.316GB, 8GB
삼성전자 플래그쉽 스마트폰 지원 용량

삼성전자가 개발하고 제조한 eUFS 4.0은 너비 11mm, 높이 13mm, 두께 1mm의 칩 하나에 최대 1TB 용량을 지원한다.

Samsung Galaxy S23 Ultra 1TB 무게 및 크기

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB 두께

삼성전자 스마트폰은 갤럭시 플립 시리즈와 갤럭시 폴더 시리즈가 등장하기 전에 갤럭시 S 시리즈와 갤럭시 노트 시리즈로 양분되었는데 갤럭시 노트 시리즈가 단종되면서 갤럭시 S 시리즈의 울트라로 편입되었으므로 삼성전자 갤럭시 S23 울트라의 무게와 크기는 갤럭시 시리즈와 과거에 단종된 갤럭시 노트 시리즈를 구분해서 비교했다.

○ 무게

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB의 무게는 약 233g이다.

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB는 이전 세대들과 비교했을 때 가장 무거운 스마트폰이다. 삼성전자 휴대폰은 스마트폰이 등장하기 전에는 무게를 최소화하는 방향으로 발전하다가 스마트폰이 등장하고부터는 하드웨어 사양이 발전함에 따라 꾸준하게 무게가 증가하고 있다.

(1) 삼성전자 갤럭시 S 시리즈 무게 비교
시리즈무게
S23 Ultra233g
S22 Ultra228g
S21 Ultra 5G227g
S20 Ultra 5G220g
S10 5G198g
S9+189g
S8+173g
S7 Edge157g
S6 Edge+153g
S5145g
S4 (3G)133g
S III (3G)132g
S II (3G)121g
S121g
(2) 삼성전자 갤럭시 노트 시리즈 무게 비교
시리즈무게
S23 Ultra233g
S22 Ultra228g
S21 Ultra 5G227g
Note20 Ultra 5G208g
Note10+ 5G196g
Note9201g
Note8196g
Note7169g
Note6169g
Note5171g
Note4176g
Note3168g
Note II183g
Note178g

○ 크기

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB의 크기는 약 78.1 x 163.4 x 8.9mm (W x H x D)이다.

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB는 이전 세대들과 비교했을 때 가장 크기가 큰 스마트폰이다. 삼성전자 휴대폰은 스마트폰이 등장하기 전에는 크기를 최소화하는 방향으로 발전하다가 스마트폰이 등장하고부터는 하드웨어 사양이 발전함에 따라 꾸준하게 크기가 증가하고 있다.

(1) 삼성전자 갤럭시 S 시리즈 크기 비교
시리즈크기
S23 Ultra78.1 x 163.4 x 8.9
S22 Ultra77.9 x 163.3 x 8.9
S21 Ultra 5G75.6 x 165.1 x 8.9
S20 Ultra 5G76.0 x 166.9 x 8.8
S10 5G77.1 x 162.6 x 7.94
S9+73.8 x 158.1 x 8.5
S8+73.4 x 159.5 x 8.1
S7 Edge72.6 x 150.9 x 7.7
S6 Edge+75.8 x 154.4 x 6.9
S572.5 x 142.0 x 8.1
S4 (3G)69.8 x 136.6 x 7.9
S III (3G)70.6 x 136.6 x 8.6
S II (3G)66.1 x 125.3 x 8.49
S64.2 x 122.4 x 9.9
(2) 삼성전자 갤럭시 노트 시리즈 크기 비교
시리즈크기
S23 Ultra78.1 x 163.4 x 8.9
S22 Ultra77.9 x 163.3 x 8.9
S21 Ultra 5G75.6 x 165.1 x 8.9
Note20 Ultra 5G77.2 x 164.8 x 8.1
Note10+ 5G77.2 x 162.3 x 7.9
Note976.4 x 161.9 x 8.8
Note874.8 x 162.5 x 8.6
Note773.9 x 153.5 x 7.9
Note676.1 x 153.2 x 7.6
Note578.6 x 153.5 x 8.5
Note478.6 x 153.5 x 8.5
Note379.2 x 151.2 x 8.3
Note II80.5 x 151.1 x 9.4
Note82.95 x 146.85 x 9.65

Samsung Galaxy S23 Ultra 1TB 보호 사양

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB 보호

○ 방진/방습

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB의 방진/방습은 IP68인증을 받았다.

IP(International Protection)는 전자제품 내에 먼지 및 물의 침입에 대한 보호 수준을 분류하는 국제 표준 등급으로 IP 뒤에 붙은 첫 번째 숫자는 고체에 대한 보호 수준이고 두 번째 숫자는 액체에 대한 보호 수준이다. IP55는 제한된 먼지 유입과 모든 방향에서 저압으로 분사되는 물의 침입을 막을 수 있다는 의미이다. IP68는 먼지 유입에 대한 완전한 보호와 1m 이상의 수심에서 정해진 조건에 따라 사용 시 물의 침입을 막을 수 있다는 의미이다.

삼성전자는 최대 1.5미터의 담수에서 최대 30분간 테스트한 결과로 해변이나 수영장 사용을 권장하지 않는다고 했다. IP 등급은 통제된 실험 환경에서 수행한 최고의 실험 결과이므로 충격, 온도, 압력, 노후화 등 다양한 변수가 있는 실제 사용자 환경에서 방진/방습을 보장하지 않는다. IP68 인증을 받았더라도 결코 물놀이, 샤워 등을 할 때 사용해선 안 되며, 예상치 못한 사고로 물을 엎지르거나 가벼운 비를 잠시 맞았을 때 안전할 수 있다고 여기는 게 좋다.

(1) 고체에 대한 보호 등급
등급설명
0보호 없음
1손등과 같은 넓은 신체 부위에 대한 보호
2손가락과 같은 작은 신체 부위에 대한 보호
3굵은 전선 등에 대한 보호
4얇은 전선 및 나사 등에 대한 보호
5신체 접촉에 대한 완전한 보호 및 먼지 침입 억제
6먼지 유입에 대한 완전한 보호
(2) 액체에 대한 보호 등급
등급설명
0보호 없음
1수직으로 떨어지는 작은 물방울에 대한 보호
2제품이 수직에서 최대 15°로 기울어졌을 때 수직으로 떨어지는 분무기 물방울에 대한 보호
3제품이 수직에서 최대 60°로 기울어졌을 때 수직으로 떨어지는 분무기 물방울에 대한 보호
4모든 방향에서 분무기 물방울에 대한 보호
5모든 방향에서 6.3mm 노즐로 투사되는 물에 대한 보호
6모든 방향에서 12.5mm 노즐로 투사되는 물에 대한 보호
7최대 1m 이내의 수심에서 정해진 압력 및 시간 동안 물에 대한 보호
81m 이상의 수심에서 정해진 조건에 따라 사용 시 물에 대한 보호
9스팀 제트 청소로부터 보호

○ 냉각 시스템

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB 발열
삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB의 냉각 시스템은 증기 챔버이다.

증기 챔버(Vapor Chamber)는 디바이스 발생하는 열을 지속해서 흡수하고 넓을 방열판으로 다시 방출하는 냉각 시스템이다. 증기 챔버 내부의 액체 냉각수가 디바이스의 열을 흡수하고 액체 냉각수의 온도가 끓는 점에 도달하면 액체가 증기로 변하고, 열기를 머금은 증기가 증기 챔버 내부에서 상대적으로 차가운 구역으로 확산하면서 증기 챔버 외부로 열을 방출하고, 증기의 열이 식으면 다시 액체로 변하고, 차가운 액체가 심지 구조(Wicking structures)의 모세관 현상에 의해 열원으로 돌아간다.

삼성전자 갤럭시 S23 울트라에 내장된 증기 챔버는 냉각 시스템의 부피를 가능한 한 줄이면서도 디바이스에서 발생하는 열을 효과적으로 발산하도록 열전도율이 높은 구리를 얇고 평평하게 제조해서 디바이스에서 발생하는 열로 인한 성능 저하를 최소화했다.

○ 작동 온도

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB의 작동 온도는 0℃ ~ 35℃이다.

온도가 높아질수록 저장 장치, 배터리, 기타 하드웨어의 수명이 감소하고, 저장 장치의 데이터 보존 기간이 감소하므로 가능한 한 제조사가 공개한 최대 온도보다 낮게 사용해야 한다.

○ 상대 습도

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB의 상대 습도는 0% ~ 95%이다.

상대 습도는 정밀한 실험 환경에서 공기가 함유할 수 있는 최대 수분량 대비 공기 중에 존재하는 수분의 양이다. 상대 습도가 0%에 가까울수록 공기가 건조해져서 정전기가 발생할 가능성이 커지고, 100%에 가까울수록 공기 중에 수분이 포화되어 전자기기의 내부 응결 및 부식이 발생할 가능성이 높아진다.

Samsung Galaxy S23 Ultra 1TB 환경 인증

○ 환경 인증

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB는 에코로고 인증과 탄소발자국 인증을 받았다.

에코로고(ECOLOGO) 인증은 미국 노동부(United States Department of Labor)의 규제 기관인 미국 산업 안전 보건청(Occupational Safety and Health Administration)에서 안전 테스트를 수행하도록 승인된 글로벌 안전 과학 회사인 UL 기업(Underwriters Laboratories Enterprise)의 UL 솔루션(Underwriters Laboratories Solutions)이 미국 및 캐나다에 수출하는 건축 및 건설 제품, 청소 제품, 하이테크 및 사무용 제품, 광물 탐사, 종이와 플라스틱 등 UL 환경(Underwriters Laboratories Environment) 표준 제품 범주에 대한 에너지 절감, 재료, 건강, 환경, 제조 및 운영을 포함하는 수명 주기 전반에 걸쳐 엄격한 환경 성능 기준을 준수할 때 부여하는 인증으로 국제 표준화 기구(International Organization for Standardization, ISO)의 Type 1 에코라벨로 분류되어 있다. 미국에 수출하는 삼성전자 갤럭시 S23 시리즈는 에코로고를 인증받았다.

탄소발자국(Carbon Footprint) 인증은 영국 정부가 정부 기관, 기업, 금융 기관의 탄소 배출량을 줄이고 에너지 효율성을 개선하기 위해 설립한 비영리 조직인 카본 트러스트(Carbon Trust)가 제품의 원료 추출부터 제조, 유통, 사용, 폐기까지의 총 온실가스 배출량을 측정하고 전년보다 탄소 배출량을 줄였거나 제품 및 서비스에 관한 기술 표준을 생성하고 기업에 인증 및 표준 관련 서비스를 제공하는 영국 국가 표준 기관(British Standards Institution, BSI)에서 개발한 탄소 중립성을 입증하기 위한 프로세스인 PAS 2060 표준에 따라 탄소 중립을 인증받은 경우 등 몇 가지 조건 중에서 하나 이상을 달성했을 때 부여하는 인증이다. 삼성전자 갤럭시 S23 시리즈는 영국 국가 표준 기관(BSI)에서 개발한 PAS 2050 표준에 따라 제품 생산부터 폐기까지 전 과정에서 발생하는 온실가스를 산정해서 제품의 탄소 배출량을 평가하는 CO2 측정 인증을 얻고 카본 트러스트로부터 검증받아서 탄소발자국을 인증받았다.

○ 재활용 소재

소재 비율부품
어망 OBP 20%S펜 내부 커버
플라스틱 물통 PCM 20%상단 스피커 모듈 상하부, 하단 스피커 모듈 상단, 볼륨 키, 측면 키
어망 OBP 5% + 플라스틱 물통 PCM 15%하단 스피커 모듈 하단
플라스틱 rPBT 10%전면 인서트
페트병 rPET 80%후면유리 데코필름
알루미늄 찌꺼기 Recycled Aluminum 28%볼륨 키, 측면 키, SIM 카드 트레이
유리 찌꺼기 Recycled Glass 22%전면과 후면의 코닝 고릴라 글래스 픽터스 2
Recycled Paper 100%포장제

OBP, PCM, rPBT, rPET는 글로벌 안전 과학 회사인 UL 기업(UL Enterprise)의 UL 솔루션(UL Solutions)으로부터 환경성 주장 검증(Environmental Claims Validation, ECV)을 받았고, 재활용 종이는 국제 비영리 다중 이해관계자 조직인 산림 관리 협의회(Forest Stewardship Council)에서 인증받았다.

– OBP: 바다나 해안선에 도달하기 전에 수집 및 처리되는 플라스틱 폐기물(Ocean Bound Plastic, OBP)
– PCM: 소비자가 사용 후 생성된 폐기물(Post Consumer Material, PCM)
– rPBT: 전기적 특성, 내열성, 내마모성이 우수한 재활용 폴리부틸렌 테레프탈레이드(Recycled Polybutylene Terephthalate, rPBT)
– rPET: 강도, 강성, 투명성이 높은 재활용 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Recycled Polyethylene Terephthalate, rPET)

Samsung Galaxy S23 Ultra 1TB 추가 지원

○ 운영체제 업데이트 지원

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB는 4세대에 걸친 OS 업데이트를 지원한다.

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB에 설치된 운영체제는 구글에서 개발한 안드로이드 모바일 운영체제 중에서 2022년 8월 15일에 출시한 열세 번째 버전이다. 구글에서 다섯 번째 버전부터 매년 큰 버전 업데이트를 하므로 2023년에 열네 번째 버전, 2024년에 열다섯 번째 버전, 2025년에 열여섯 번째 버전, 2026년에 열일곱 번째 버전으로 업데이트할 것으로 추정된다. 즉 삼성전자 갤럭시 S23 울트라를 구매한 사람은 2027년 경 안드로이드 열여덟 번째 버전이 업데이트 되기 전까지는 보안에 문제가 없으나 안드로이드 열여덟 번째 버전에 업데이트된 시점부터 운영체제에 관한 심각한 보안 위험에 노출될 수 있다.

○ 보안 업데이트 지원

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB는 보안 업데이트를 5년 동안 지원한다.

삼성전자 갤럭시 S23 울트라 1TB는 삼성 녹스 등 삼성전자 소프트웨어에 관한 보안 업데이트를 2028년 2월까지 5년간 지원하므로 2028년 2월 이후에는 심각한 보안 위험에 무방비로 노출된다.

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